产品详细介绍

产品描述:
钻孔直径: 大于30um
•速 度: 可调,0.1s /hole(实验型)
•定位精度: ±5μm
•冷却方式: 水冷
•加工范围: 125×125,156×156mm或其他半导体硅晶圆
•应 用: 单晶硅,多晶硅等材料
激 光 器: 可选(建议532或355nm)


产品类别:
上一个产品:MWT钻孔
下一个产品:薄膜太阳能电池用激光刻划设备
相关产品
热门产品
找不到你需要的信息? 发送询盘.












